回收电容，回收电子芯片

　　红芯科技高价收购

　　存储类flash芯片，如东芝，三星，海力士，镁光，华邦。

　　通信类电子元器件，如通信ic、通信模块、功率模块、cpld、内存、大功率ibgt、dsp、服务器cpu、硬盘、服务器网卡等。

　　汽车电子类电子元器件，如mcu、dsp、驱动芯片、单片机、内存flash、液晶屏、wifi模块、收音模块、蓝牙芯片、csr芯片、蓝牙模块等

　　收购ic： k9f系列flash、南北桥、手机ic、电脑周边ic、电视机ic、atmel/pic系列单片机、ov系列摄像头ic、sphe系列、saa系列、xc系列、rt系列、tda系列、cs系列、atj2091主控...

　　无标示管的判别 首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极s和漏极d，余下场效应管 两个脚为栅极g1和第二栅极g2。把先用两表笔测的源极s与漏极d之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极d；红表笔所接的为源极s。用这种方法判别出来的s、d极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是d极；红表笔所接地是s极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极d、源极s的位置后，按d、s的对应位置装人电路，一般g1、g2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极g1、g2的位置，从而就确定了d、s、g1、g2管脚的顺序。判断跨导的大小 测反向电阻值的变化判断跨导的大小.对vmosv沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极s、黑表笔接漏极d，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在r×10kω的高阻档，此时表内电压较高。当用手接触栅极g时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。