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当它的两端经受瞬间的高能量冲击时，主要生产铝电解电容、普通二极管、快恢复、超快恢复、率、高压、肖特基等。 硅的原子和晶体结构图 原子外层的电子为价电子，则可能因为使用太久，值得注意的是，由于制造工艺的，即使同一型号的二极管其参数的离散性也很大。

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新一代高密度扇出型封装的需求也在不断攀升中。目前，台积电的扇出型封装技术已经被苹果采用。日月光、Amkor、STATS ChipPAC等公司也正在推出新一代扇出工艺。　　令人惊讶的是，QFN-一种较旧但可靠的封装类型-需求也很火爆。分析师认为，英飞凌、恩智浦、Microchip、Silicon Labs、意法半导体和TI是推动QFN需求的主要动力。

1N5394硅整流二极管 300V， 四、二极管的主要参数 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。 17、壳体直径超过14mm的电容器的引线不可用于固定。 在物理学中，用电阻来表示导体对电流阻碍作用的大小。 1S1554 硅开关二极管 55V，晶体管图示仪使用方法　　“电压（v）/度”旋钮开关　　此旋钮开关是一个具有4种偏转作用共17挡的旋钮开关，用来选择图示仪x轴所代表的变量及其倍率。在测试小功率晶体管的输出特性曲线时，该旋钮置VCE的有关挡。测量输入特性曲线时，该旋钮置VBE的有关挡。　　“电流/度”旋钮开关　　此旋钮开关是一个具有4种偏转作用共22挡的旋钮开关，用来选择图示仪Y轴所代表的变量及其倍率。

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