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该值随工作电流和温度的不同而略有改变。 2、键型二极管 键型二极管是在锗或硅的单晶片上熔接或银的细丝而形成的。 2)当反向电压大到６ㄊ值时，反向电流急剧加大，反向击穿区，D点对应的电压称为反向击穿电压。点型二极管是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通以脉冲电流，使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。根据不同的电源要求，器件有时会采用串联、并联或其组合的形式， 对于功率级超过10KW的电源，通常采用体积较大的罐形螺旋端子电容器。

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②合适的功能测试向量将这些管脚同时设置到一定的状态。　　ETS77O测试系统完全可以满足条件①的要求，而条件②是对测试程序设计者提出的要求，需要在调试测试向量时，提前考虑到这一点。尽量使多个管脚可以停在同一状态，82c5l测试直流参数的具体方法是将0地址写全“0”数据，FF地址写全“l”数据。

就两种测试方法而言，各有优缺点。利用搜索法测试交流参数简单易学，可以得到确定的参数值，但测试时间长，适合在芯片的研制过程中使用，了解器件的具体参数值，对设计和修改工艺参数提供参考。但在大规模生产过程中，整个流程都相对稳定可靠，就没必要使用这种方法了。此时，功能验证法就显示出它的优点。功能验证法并不是真正去i贝4试和显示器件的交流参数，而是采用定时判别的方法来确定交流参数是否在合格范围之内，可以理解为进行了一次具有定时精度的高速逻辑功能测试。

1N5405硅整流二极管 500V，可将其拆下， 变容二极管主要是通过结构设计及工艺等一系列途径来突出电容与电压的非线性关系，并 Q 值以适合应用。而对于每个不同类型不同材质的电容，该比值随工作电流的不同而改变，一般是工作电流愈大，动态电阻则愈小。

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